Пример маркировки:
| MIAA | - | HB | 12 | FA | - | 200 | N |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
1.Исполнение:
MIAA – корпус 62 мм
MIFA – корпус 34 мм
2. Схема включения:
HB – полумост
HC – верхний чоппер
LC – нижний чоппер
3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение
Технологическая линия производства IGBT модулей
Особенности применения IGBT модулей производства ЗАО "Протон-Электротекс"